不过到目前的这项半导材料完全的研发来，未来的半导行业基本上都是由华国说了算。

的自产工艺若是突破了3纳米制成工艺之后，会现相应的漏电，从而导致良品率的逐步下降。

而拥有了这项技术再加上全新的光刻机合，目前华腾半导芯片设计能力，完全能够研发更为劲的理芯片。

这一项全新的新型散材料，可以完全的运用在手机内充当散材料，同时也能够将这样的材料成手机散壳，从而充当件去销售获得一定的产品利。

“恭喜宿主获得复合型散铝合金材料！”

这真正意义上的改变，能够使得手机的芯片的晶数量一步的提升，并且能够使得手机真正的达到能的突飞猛。

而系统目前奖励的这项技术就是将原先的硅材料换成了碳基材料，从而实现新的半导材料的变更，这半导材料合着原有的技术能够使得芯片的晶达到0.5纳米的制程。

第二办法就是采用其他的材料，将原本的材料换成密度更，更加稳定的半导材料。

这项全新的材料技术还是需要跟更多的企业甚至是上方行度的合作，从而使得真正意义上的将全新的半导材料研发来。

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现在的光刻机的制程工艺想要更一步，需要更大的改变，当然目前是拥有着两改变的方式。

并且这项技术相对于上一项奖励来说要简单的太多，基本上这家公司的人缘靠着实力变，可以完全的将这项技术研发来，甚至能够在接下来时间之内将这项技术完全的运用在实际的产品之上。

只不过这项技术完全无法靠一家公司去真正的实现，新材料的变更，必须需要大量的资金合着技术人员的研发，才能够将新的轨迹的半导材料完全的研发来并且运用到目前的半导领域。

当然这项技术的难度是非常之的，想要完全的将这项技术真正的运用，并且时间需要非常多的人力力去研发。

这项技术是上一代技术的升级版本，其最大的难度就是将原本的三面环绕变成了至少九面以上的环绕，从而保证电经过栅极的时候不会漏电。

以至于现在的各国都没有将这项技术完全的研发来，并且运用到接下来的半导芯片的生产之中。

这一项全新的半导技术，想要从理论突破成真实地记述其不仅需要费大量的资金，同时也需要费大量的人力力。

而在去年公布即将采用1纳米的台基电，虽然本质上的制程工艺只有2纳米准，但就算如此整个生产线的良品率其实还不到10%，这也让目前的台积电无法真正地开始将1纳米的制程工艺行商用。

可以说这项技术是一项极为优秀好研发的技术，并且能够帮助自家公司快速的获得相应的资金收。

虽然说现在莓族科技公司的平已经达到了一新的度，但是其拥有的资金以及整的科研人员来说，本无法真正意义上的将所谓的新半导材料研发来。

而这项全新的材料若是运用在手机之中，能够在三分钟之内将45度的手机温度直接降到40度以下。

第一是行理芯片晶的全新架构的研发，目前有分的科学家提了全环栅极晶排列技术。

第二项技术则是一全新的散型材料，这散型材料能够使得手机内的量完全的通过理方式从而实现快速降温。

相比于第一项技术来说，第二项技术就相对于来说有弱了。